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Connecteur de carte SIM nano, PUSH PUSH, 6 broches, H 1,25 mm, avec broche CD Matériel: Contact : Alliage de cuivre. Au sur Ni. Boîtier : LCP rempli de verre. Coque : Inox. Au sur Ni. GND Cadre : Alliage de cuivre. Au sur Ni. Interrupteur de détection : alliage de cuivre. Au sur Ni. Glissière : Pa10t rempli de verre. Ressort : Inoxydable. Crochet : Inox. Électrique: Courant nominal : 0,5 A max. Tension nominale : 30 V CA Résistance de contact : 100 mΩ max. Résistance d'isolement : 1 000 MΩ min./500 VDC Tension de tenue diélectrique : 500 VCA/minute. Durabilité : 5000 cycles. Température de fonctionnement : -45 °C à +85 °C |
Numéro de pièce | Description | PCS/CTN | Poids net (kg) | CMB(m3) | Quantité commandée | Temps | Commande |